韩国首尔 – 2018 年 7 月 17 日 – 三星电子株式会社 是先进内存技术的出色企业，于今日宣布，公司已成功开发出行业首款 10 纳米 (nm) 等级* 8 千兆位 (Gb) LPDDR5 DRAM
韩国首尔 – 2018 年 7 月 17 日 – 三星电子株式会社 是先进内存技术的出色企业，于今日宣布，公司已成功开发出行业首款 10 纳米 (nm) 等级* 8 千兆位 (Gb) LPDDR5 DRAM。自从 2014 年量产 8Gb LPDDR4 以来，为了能在即将到来的 5G 和人工智能 (AI) 的移动应用中顺利过渡并使用 LPDDR5 标准，三星 一直在为此而不懈努力。
最新开发的 8Gb LPDDR5 就是 三星 高级 DRAM 产品阵容中新增加的产品，该阵容中还包括 10nm 等级 16Gb GDDR6 DRAM（2017 年 12 月量产）和 16Gb
DDR5 DRAM（开发于今年 2 月）。
“新开发的 8Gb LPDDR5 代表着低功率移动内存解决方案的一次重大进步”， 三星电子 内存产品规划与应用工程的高级副总裁
韓眞晩 (Jinman Han) 说。“我们将继续扩展下一代 10nm 等级 DRAM 产品阵容，加快全球使用高级内存的步伐。”
8Gb LPDDR5 具有高达 6,400 兆位每秒 (Mb/s) 的数据传输速度，这是当前旗舰移动设备（LPDDR4X，4266Mb/s）中所使用移动 DRAM 芯片速度的 1.5 倍。由于传输速度的提高，新款 LPDDR5 每秒可发送 51.2 千兆字节 (GB) 的数据，约相当于 14 部全高清视频文件（每个文件 3.7GB）。
10nm 等级的 LPDDR5 DRAM 可在两种带宽下工作 – 6,400Mb/s（采用 1.1 伏工作电压时），以及 5,500Mb/s（采用 1.05 伏工作电压时）– 这使得它成为面向下一代智能手机和汽车系统的通用移动内存解决方案。这一性能的提升，源于多个体系结构的增强。通过将内存“模组”（DRAM 单元中的子单元）的数量从 8 个加倍到 16 个，新的内存可获得更高的速度，同时降低了能耗。8Gb LPDDR5 还利用先进的、速度优化的电路体系结构，来验证和确保芯片较高的速度性能。
为了最大限度省电，10nm 等级 LPDDR5 被设计为在活跃模式下可降低其电压，以便与对应的应用处理器的工作速度一致。它还配置了为可避免覆盖值为“0”的单元。此外，新款 LPDDR5 芯片提供了“深度睡眠模式”，可将功耗约降低至当前 LPDDR4X DRAM 处于“空闲模式”下功耗的一半。由于这些低功率特点，8Gb
LPDDR5 DRAM 可将功耗最高降低 30%，提高了移动设备性能且延长了智能手机寿命。
基于其出色的带宽和能效，LPDDR5 将能够支持人工智能和机器学习应用，并且对全球的移动设备都可实现 UHD 兼容。
三星 联合全球卓越的芯片供应商已经完成对原型 8GB LPDDR5 DRAM 封装（由八个 8Gb LPDDR5 芯片组成）的功能测试和验证。通过利用位于韩国平泽的最新生产线的尖端制造基础设施，三星 计划开始量产其下一代 DRAM 产品阵容（LPDDR5、DDR5 和 GDDR6），以满足全球客户的需求。
