韩国首尔——2019 年 3 月 21 日—— 内存技术公司三星电子今日宣布，该公司已开发出业界首个第三代 10 纳米级 (1z-nm) 8 千兆比特 (Gb) 双倍数据速率 4 (DDR4) DRAM
韩国首尔——2019 年 3 月 21 日—— 内存技术公司三星电子今日宣布，该公司已开发出业界首个第三代 10 纳米级 (1z-nm) 8 千兆比特 (Gb) 双倍数据速率 4 (DDR4) DRAM。在开始大规模生产第二代 10nm 级 (1y-nm) 8Gb DDR4 后仅 16 个月，公司在没有使用极紫外 (EUV) 处理的情况下开发出了 1z-nm 8Gb DDR4，将 DRAM 的缩放限制进一步扩大。
随着 1z-nm 成为业界小的内存处理节点，三星电子现在已准备好应对不断增长的市场需求，与此前的 1y-nm 版本相比，其新款 DDR4 DRAM 的制造生产率提高了 20% 以上。
1z-nm 8Gb DDR4 的量产将于今年下半年开始，以适应预期将于 2020 年推出的下一代企业级服务器和高端个人计算机。
“我们致力于解决技术方面的重大挑战，这一点一直驱动着我们不断进行更多创新。我们很高兴能够为下一代 DRAM 产品的稳定生产奠定坚实的基础，确保高性能和高效能。”三星电子 DRAM 产品和技术执行副总裁 Jung-bae Lee 表示，“随着我们建立起自己的 1z-nm DRAM 生产线，三星电子旨在支持全球客户部署先进系统，促进优质内存市场增长。”
三星电子公司开发的 1z-nm DRAM 为加速全球 IT 向下一代 DRAM 接口（如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6）的过渡做好了准备，将推动新一波未来数字创新的产生。具有更大容量和更高性能的后续 1z-nm 产品将使三星电子增强其业务竞争力，巩固其在服务器、图形和移动设备等应用的优质 DRAM 市场中的地位。
在与一家中央处理器制造商对 8 千兆字节 (GB) DDR4 模块进行全面验证后，三星电子将积极与全球客户合作，推出一系列未来的内存解决方案。
为满足目前的行业需求，三星电子计划增加其在平泽基地的主要内存生产份额，同时与其全球的 IT 客户合作，满足对先进 DRAM 产品不断增长的需求。
三星电子株式会社简介
三星电子以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星电子新闻中心 http://news.samsung.com。
