日期: 2023-11-28
第五代 V-NAND 量产已启动
三星 最新推出的 256Gb V-NAND 具有行业内最快的数据传输速度，同时首先应用 “Toggle DDR 4.0” NAND 接口
放置了 3 个 V-NAND 芯片、1 个后视图和 2 个前视图。
三星电子 是先进内存技术的全球领导者，于今日发布公告，公司已开始量产其第五代 V-NAND 内存芯片，该芯片具备行业内最快的数据传输速度。 在业内首先采用的 “Toggle DDR 4.0” 接口中，存储器与内存之间通过 三星 最新的 256 千兆位 (Gb) V-NAND 传输数据的速度已达到每秒 1.4 千兆位 (Gbps)，相对于其 64 层的前一代产品提升 40%。
三星 最新的 V-NAND 的能效保持与其 64 层芯片相当的水平，主要是因为工作电压从 1.8 伏降低到了 1.2 伏。 新一代 V-NAND 还具有 500 微秒 (μs) 的当今最快数据写入速度，与前一代产品的写入速度相比提升 30%，同时读取信号的响应时间已极大降低到 50μs。
第五代 V-NAND 内封装了超过 90 层“3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元”，这是行业内数量最多的，通过全程垂直钻取的极小通道孔堆叠成金字塔结构。 这些通道孔仅为几百纳米 (nm) 宽，包含超过 850 亿个 CTF 单元，每个单元可存储三个数据位。 这一先进的内存结构是多种技术突破的成果，涉及先进的电路设计和新的工艺技术。
由于 V-NAND 的原子层沉积工艺的增强，制造效率也提升了超过 30%。 凭借前沿技术，每个单元层的高度降低了 20%，防止了单元间串扰，提升了芯片的数据处理效率。
“三星 的第五代 V-NAND 产品和解决方案为快速发展的高级内存市场提供了最先进的 NAND”，三星电子 的闪存产品和技术行政副总裁 Kye Hyun Kyung 说。 “除了我们今天发布的领先技术，我们准备在 V-NAND 产品阵容中推出 1 太比特 (Tb) 和四级单元 (QLC) 产品，继续为整个全球市场的下一代 NAND 内存解决方案注入发展动能“。
三星将很快增加其第五代 V-NAND 的产量，以满足各种市场需求，并将继续引领关键领域的高密度内存发展，这些领域包括超级计算、企业服务器和最新的移动应用（例如高级智能手机）。
三星电子株式会社简介
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